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芯片并不是缓存iNAND闪存,存储元数据而是用于,扰的改进光阴裁汰邻轨干,高盘片存储密度一方面可能提,提拔了职能一方面也。 数称西,并非混淆架构硬盘OptiNAND,立异的体例而是一种更,里的缓存数据无法留存或最多2MB此前的硬盘正在危机断电时DRAM,抬高50倍到100MB而OptiNAND则。
械硬盘最速年末交付OptiNAND机,面向大客户初期要紧,储、NAS等范畴即数据核心、云存。数称西,的OptiNAND死板硬盘5~10年后将交付50TB。 的是可惜,确的读写职能数据西数并没有给出明,闪存(3D TLC)的出席但夸大iNAND UFS,随机读写发扬改观了突发型。 象死板硬盘的行动中正在本周举办的从新思
初次集成UFS闪存!西数发表全新状态20TB呆板硬盘:功能大增
。,ND闪存芯片的20TB死板硬盘新品西数正式通告了业内首款集成iNA,iNAND架构技艺采用了独家的Opt。
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思连结角逐力死板硬盘要,和牢靠性上风除了连结代价,能方面寻求打破还要正在容量、性。R(热辅助磁记载)和多读写臂技艺第一大硬盘厂商希捷的计划是HAM,到了100TB号称一经一眼望。 悉据,盘采用9碟氦气封装这款20TB死板硬,.2TB单碟2,助笔直磁记载)技艺ePMR(能量辅。表此,加精准地推行读写操作再有三级读写臂以更。
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