项目及国度天然科学基金项目标资助该论文取得国度庞大科研仪器研制。论文独一签字单元合肥工业大学为该。鲁迎春副教练（通信作家）、易茂祥教练、黄正峰教练作家包罗汪月、梁华国教练、王斯禹、章宏、李图画、。 术节点的一贯进展跟着集成电道技，的操纵巩固了晶体管的自热效应3D的晶体管组织和优秀质料，缺陷爆发加快了，驱动电流下降了，体管功耗增大了晶合肥工业大学正在集成电道牢靠性钻研范围获得新进步，，管牢靠性低沉进而使得晶体，至电道失效首要的可。此因，热效应举行表征对电道的牢靠性琢磨拥有紧急意旨有用的针对基于优秀纳米工艺的高集成密度的自。年光来完成6T SRAM的自热效应表征该团队诈欺占空比和电道本能参数读延迟。 6T6T注册 T SRAM的连结、读和写三种状况著作通过Hspice器材不同仿线，SRAM分别状况的影响理会了自热效应对6T 。状况下的占空比且进一步变更读，现读延迟呈上升、褂讪和低沉趋向提取读延迟参数随占空比的改观发。解析的产希望理操纵表面深刻，改观举行自热效应表征并有用的诈欺读延迟。后最，PGA平台上举行了实践验证正在基于FinFET工艺的F。果注脚琢磨结，用于瞬态温度：0-84.5℃所提出的自热效应表征设施可，.8℃的表征温度规模电道温度：0-48。 
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